반도체/디스플레이 2022년 마이크로 LED 칩 전사 장치 현황분석

[ 목 차 ]

1. 개요
2. 산업 분석
3. 기술 개발 동향
4. 주요 플레이어 특허동향
5. 전략제품 기술 개발 전략

1. 개요 가. 정의 퍀 마이크로 칩 전사 장치란 웨이퍼에 제조된 마이크로 칩을 원하는 디스플레이 회로 LED LED 기판 위에 옮기고 부착하는 장치를 말함(Backplane) (Pick and Place) ▪마이크로 칩 전사 장치는 디스플레이 자체 기판에 마이크로 칩을 제작하기 어렵기 때문에 LED LED 별도로 제작한 후 전사시키는 게 일반적임 ▪마이크로 칩 전사 장치의 기본적인 기능은 따로 제작된 주로 실리콘 웨이퍼 마이크로 LED ( ) LED 칩을 개별적으로 빼내고 이들을 기판 위 원하는 위치에 정확히 놓는 것임 (Pick) (Backplane) (Place) ▪마이크로 칩 전사 장치는 기술적으로는 칩의 손실을 최소화하는 칩 분리 기술과 개별 칩을 LED 대량으로 동시에 실장하는 기술이 핵심적인 장치임 마이크로 칩 전사 개념도[ LED ] 마이크로 칩 전사장치10. LED - 2 - 나. 필요성 퍀 마이크로 는 에너지 효율 수명 명암비 등 기존 디스플레이 특성보다 훨씬 우수하며LED , , , 적용 분야도 투명 디스플레이 유연 디스플레이 등에도 사용 가능함 마이크로 디스플레이 , . 휴대전화 패드 노트북과 같은 중형 디스플레이에 사용 가능하며 와 (AR, VR), , / , TV 사이니지로도 디스플레이 패널 크기에 따라 확장할 수 있기도 함 하지만 마이크로 . , LED 제조 양산하는데 기술적으로 극복해야할 난관이 있음 특히 수십 이하의 마이크로 . , m LED μ 칩은 에피기술을 적용해야 하므로 웨이퍼에서 제조 후 이들을 백플에인 기판 위 (backplane) 원하는 위치에 전사 한 후 부착 을 하는 마이크로 제조 공정은 (pick & place) (bonding) LED 가장 핵심적인 공정임 ▪표에서 보여주듯이 수천만 개의 마이크로 칩을 웨이퍼에서 디스플레이 패널 기판 으LED (backplane) 로 옮기는 생산성 있는 전사 공정을 대면적에 구현하는 것이 마이크로 상용화에 있어 가장 큰 LED 핵심 중 하나임 ▪ × 2160) LED 2.5 LED 마이크로 디스플레이의 경우 약 백만 개 마이크로 칩이 실장 4K(3840 되어야 하기 때문에 기존 방식으로 개별 칩 단위로 제조한다면 제조 비용과 시간이 상당하기 때문에 , 양산이 불가능함 ▪ μ μ 마이크로 칩은 수십 이하로 크기가 작으므로 기존의 이상 두께를 갖는 사파이어 LED m 100 m 기판 및 기판이나 흡수가 많은 및 기판을 제거하지 않고 적용하는 것은 적합하지 않음InP Si GaAs . 따라서 기판을 분리하고 전사하는 기술이 필요함 ▪ 칩 자체를 발광 소재로 화면을 구현하기 때문에 와 같이 동일하나 는 유기재료라는 LED OLED . OLED 특성상 수분 및 외부 환경에 민감하지만 마이크로 는 무기물 재료를 사용하므로 외부 환경에 , LED 민감하지 않아 재료가 갖는 단점을 극복할 수 있어 유연디스플레이 등 차세대 디스플레이에 VR/AR, 적용하기 용이함 ▪웨어러블 휴대용 전자기기 등을 포함한 무선기기 사용에 있어 가장 중요한 이슈 중 하나는 사용 , 시간과 밀접한 관련이 있는 소비전력임 마이크로 디스플레이의 경우 전력 소모 측면에서 . LED 에 비해 약 배 이상 개선될 수 있음